Китайские учёные создали память толщиной в атом

Производители процессоров обычно интегрируют память вместе с вычислительными блоками, но исследователи из Фуданьского университета в Шанхае разработали новую технологию, использующую тонкий слой 2D-памяти NOR, сообщает Tom's Hardware.

Технология под названием ATOM2CHIP наносит слой сульфида молибдена на кремниевый кристалл с КМОП-структурами по 130-нм технологии, обеспечивая выход годных изделий на уровне 94,34 %.

Чип функционирует на частоте до 5 МГц, потребляет 0,644 пикоджоуля на бит и выполняет операции записи и стирания данных за 20 наносекунд. Ресурс записи превышает 100 000 циклов, а срок хранения данных достигает 10 лет. Технология эффективно решает проблему совмещения разнородных поверхностей благодаря "плавающему" покрытию, которое защищено от высоких температур и электростатических разрядов.

Новый интерфейс обеспечивает прямой обмен данными между контроллером и покрытием, поддерживает 32-разрядный параллелизм и произвольный доступ, что делает технологию пригодной для полноценной интеграции памяти в чипы. Массовое внедрение ожидается через несколько лет.